强耦合有机半导体中的电荷转移激子
材料科学
2010-04-30 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在一维六噻吩晶格上的时间分辨和温度依赖光致发光测量揭示了光激发向两种不同物种的内在分支：自陷激子和暗电荷转移激子(CTX；产率>5%)，其半径跨越2-3个位点。显著的CTX产率源于这些超分子纳米结构中由于大自由激子带宽(~400 meV)导致的Frenkel激子带的强电荷转移特性。
引用
@article{arxiv.0910.2515,
title = {Charge-transfer excitons in strongly coupled organic semiconductors},
author = {Jean-Francois Glowe and Mathieu Perrin and David Beljonne and Sophia C. Hayes and Fabrice Gardebien and Carlos Silva},
journal= {arXiv preprint arXiv:0910.2515},
year = {2010}
}
备注
Physical Review B Rapid Communications (In Press)