电荷 - 电阻方法用于基准测试后 CMOS 信息处理器件的性能
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1
摘要
目前多种后 CMOS 信息处理器件正处于活跃研究中，需要对其进行性能基准测试的方法。本文提出了一种计算此类器件性能指标（能量 - 延迟积）的新方法。该方法涉及估算器件的电阻和开关电荷特性，而非动态演化特性（如开关能量和时间）。讨论了该方法在各类基于电荷和非基于电荷器件中的应用。该方法提出了提升后 CMOS 器件性能的路径，并根据普朗克常数给出了能量 - 延迟积的一个新的现实极限。
引用
@article{arxiv.1308.4748,
title = {Charge-Resistance Approach to Benchmarking Performance of Beyond-CMOS Information Processing Devices},
author = {Angik Sarkar and Dmitri E. Nikonov and Ian A. Young and Behtash Behin-Aein and Supriyo Datta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.4748},
year = {2015}
}
备注
7 pages 2 figures. Submitted to IEEE Transactions on Nanotechnology