Si/SiGe 异质结构中双电子量子点的电荷噪声韧性
介观与纳米尺度物理
2022-08-18 v2 量子物理
摘要
谷自由度给硅自旋量子比特带来了挑战与机遇。对于单态-三重态而言，一个重要因素是存在两种不同的三重态，分别由谷激发与轨道激发构成。在此我们表明，这两种三重态在典型工作区间均存在，但只有谷激发三重态提供针对电荷噪声的固有保护。我们进一步表明，这种保护在限制更强的量子点中自然出现。这些结果揭示了硅基多电子量子比特的一种内在优势。
引用
@article{arxiv.2105.10643,
title = {Charge-noise resilience of two-electron quantum dots in Si/SiGe heterostructures},
author = {H. Ekmel Ercan and Mark Friesen and S. N. Coppersmith},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.10643},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 5 figures