面向单分子电生理学的半导体量子点与纳米棒中量子受限 Stark 效应的表征
介观与纳米尺度物理
2021-08-04 v2 化学物理
光学
摘要
我们优化了基于量子受限 Stark 效应（QCSE）的电压纳米传感器的性能。开发了一种高通量单颗粒 QCSE 表征方法，并用于筛选此类纳米传感器库。在本工作评估的不同纳米传感器中，II 型 ZnSe CdS 种子纳米棒表现出最佳性能。表征了外加场下激子发射的强度变化与光谱变化之间的相关程度。通过采用新型光子计数相机的高通量、高时间分辨率强度测量，表征了单个 ZnSe CdS 纳米棒对电压调制的时间响应上限。测得的 3.5 us 响应时间受电压调制电子器件限制，其带宽约为记录神经元动作电位所需带宽的 30 倍。
引用
@article{arxiv.1802.09170,
title = {Characterizing the Quantum Confined Stark Effect in Semiconductor Quantum Dots and Nanorods for Single-Molecule Electrophysiology},
author = {Yung Kuo and Jack Li and Xavier Michalet and Alexey Chizhik and Noga Meir and Omri Bar-Elli and Emory Chan and Dan Oron and Joerg Enderlein and Shimon Weiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.09170},
year = {2021}
}
备注
36 pages, 6 figures