不同磁构型中混沌诱导电阻率

人们普遍认为磁重联在空间与天体物理等离子体的各类爆发现象中起着重要作用。然而,反常电阻率的机制一直是一个开放且未解决的问题。Yoshida (1998)提出的混沌诱导电阻率是反常电阻率的可能机制之一。本文利用试验粒子模拟,研究了不同重联磁场构型下的混沌诱导电阻率及其在重联电流片不同混沌区中的分布。结果表明,在X型混沌区中混沌诱导电阻率可比经典Spitzer电阻率高6–7个数量级,在O型混沌区中高5个数量级。此外,在X型混沌区中磁化情形的混沌诱导电阻率比非磁化情形高2至3倍,而在O型混沌区中磁化情形的混沌诱导电阻率接近或低于非磁化情形。本工作有助于理解重联电流片的动力学,尤其是无碰撞重联区反常电阻率的产生机制。