半导体量子点的腔量子电动力学：声子辅助腔馈入的作用
介观与纳米尺度物理
2015-05-14 v1
摘要
对于强耦合到微腔的半导体量子点，我们理论上研究了从激子到腔光子的声子辅助跃迁，其中能量失配由声子发射或吸收补偿。通过Schrieffer-Wolff变换，我们推导出一个有效哈密顿量，它描述了激子-腔和激子-声子耦合的联合效应，并在费米黄金规则方法内计算了散射率。将该方法的结果与最近报道的基于独立玻色子模型[U. Hohenester et al., Phys. Rev. B 80, 201311(R) (2009)]的描述方案以及数值密度矩阵方法的结果进行了比较。所有描述方案都显示出非常相似的结果。我们给出了初始布居有单个激子或双激子的量子点的自发辐射寿命，以及工作在强耦合区域的光学驱动点-腔系统的光谱特性的结果。我们的结果表明，当失谐在几个毫电子伏特量级时，声子辅助馈入对强耦合点-腔系统起着主导作用。
引用
@article{arxiv.0912.5181,
title = {Cavity quantum electrodynamics with semiconductor quantum dots: The role of phonon-assisted cavity feeding},
author = {Ulrich Hohenester},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.5181},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 10 figures