高温下的卡西米尔自由能：接地与孤立导体

我们评估了在高温下对应于接地或孤立完美导体的卡西米尔自由能之间的差异。我们表明，可以利用导体系统的静电电容矩阵给出该差异的一个通用且简单的表达式。对于邻近导体的情形，我们通过使用邻近力近似计算电容矩阵，给出了该差异的近似表达式。由于由在零频处发散的频率相关电导率所描述的介质的卡西米尔自由能的高温极限与孤立导体的一致，我们的结果可能阐明真实材料存在时卡西米尔力的修正。