Si/SiO$_2$ 量子点中的载流子弛豫

A. A. Prokofiev; S. V. Goupalov; A. S. Moskalenko; A. N. Poddubny; I. N. Yassievich

doi:10.1016/j.physe.2008.08.053

Si/SiO$_2$ 量子点中的载流子弛豫

材料科学 2015-05-13 v1

作者: A. A. Prokofiev , S. V. Goupalov , A. S. Moskalenko , A. N. Poddubny , I. N. Yassievich

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摘要

本文研究了 SiO $_2$ 中硅量子点内由带内光学跃迁和非辐射跃迁引起的载流子弛豫。研究了受限空穴与光学声子的相互作用。计算了此类跃迁的 Huang-Rhys 因子。估算了受限空穴发射多个光学声子发生带内跃迁的概率。

关键词

载流子弛豫硅量子点带内跃迁光学声子非辐射跃迁 Huang-Rhys 因子 Si/SiO$_2$

引用

@article{arxiv.0805.3451,
  title  = {Carrier relaxation in Si/SiO$_2$ quantum dots},
  author = {A. A. Prokofiev and S. V. Goupalov and A. S. Moskalenko and A. N. Poddubny and I. N. Yassievich},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0805.3451},
  year   = {2015}
}

备注

8 pages, 2 figures, submitted as an extended abstract to the E-MRS Spring Meeting 2008

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