量子霍尔反点Aharonov-Bohm效应的电容相互作用模型
介观与纳米尺度物理
2011-01-17 v2
摘要
我们推导了整数量子霍尔体系中基于反点的干涉仪的通用电容相互作用模型，并研究了具有多个束缚态模式的单反点中Aharonov-Bohm共振随外加磁场或施加于反点的栅极电压变化的函数关系。Aharonov-Bohm共振的模式与非相互作用电子的情况有显著差异。这种差异的来源包括多余电荷的充电效应、束缚模式间的电荷弛豫、束缚模式与反点附近扩展边缘通道间的电容相互作用，以及单粒子能级间距与反点充电能之间的竞争。我们分析了束缚模式数目为2、3和4时的模式。结果与最近的实验数据相符。
引用
@article{arxiv.1009.1004,
title = {Capacitive interaction model for Aharonov-Bohm effects of a quantum Hall antidot},
author = {W. -R. Lee and H. -S. Sim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.1004},
year = {2011}
}
备注
9 pages, 6 figures