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基于自旋电阻器的纳米结构中自旋积累与自旋信号的计算方法

介观与纳米尺度物理 2015-06-09 v2

作者: W. Savero Torres , A. Marty , P. Laczkowski , L. Vila , M. Jamet , J-P. Attané

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摘要

对自旋输运的理解与计算是自旋电子器件发展的关键要素。在此，我们提出一种简单方法，用于解析计算复杂系统中的自旋积累、自旋电流与磁电阻。该方法既可应用于多层膜中的 CPP 实验，也可用于由半导体、氧化物、金属和碳同素异形体构成的多端纳米结构。

关键词

自旋输运自旋积累自旋电阻器纳米结构磁电阻 CPP实验自旋电子学

引用

@article{arxiv.1506.01347,
  title  = {Calculation method of spin accumulations and spin signals in nanostructures using spin resistors},
  author = {W. Savero Torres and A. Marty and P. Laczkowski and L. Vila and M. Jamet and J-P. Attané},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1506.01347},
  year   = {2015}
}

备注

12 pages and 7 figures