计算基底上二维材料的自由能

开发了一种计算基底上二维材料自由能的方法，并以铜基底上的石墨烯与{\gamma}-石墨炔体系进行了演示。该方法比现有最优算法至少快3个数量级，其精度通过分子动力学模拟进行了检验，表明在100至1300K温度范围内内能计算的精度达到0.03%。正如预期，在高达3000K的温度范围内，具有相同碳原子数的石墨烯片在Cu(111)或Ni(111)表面的计算自由能始终小于{\gamma}-石墨炔片，这与石墨烯在基底上的生长比{\gamma}-石墨炔容易得多的事实一致。