单层TPD器件中的体相和接触敏化光载流子产生
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
本文报道了在夹层几何结构中研究的TPD的光电性质。特别是，我们通过正向和反向偏压测量获得了TPD中空穴的“μτ”乘积。“μ”是空穴迁移率，“τ”是载流子俘获时间。“μτ”乘积是材料电子质量的度量，允许对不同样品进行定量比较。我们进行了数值模拟以理解这些结构中的光电流。我们表明，在反向偏压下，光电流（PC）源于体相。在电场大于10^6 V/cm时，载流子产生由场辅助激子解离控制。在较低电场下，载流子的产生在样品体相中自发发生。在正向偏压下，光电流源于ITO接触处的激子解离。我们还从正向偏压PC测量中获得了空穴的“μτ”乘积，该值与反向偏压测量获得的值一致。基于我们的实验，我们证明了夹层结构中的TPD是廉价大面积日盲紫外探测器阵列的良好候选材料。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0608153,
title = {Bulk and contact-sensitized photocarrier generation in single layer TPD devices},
author = {Debdutta Ray and Meghan P. Patankar and Gottfried H. Dohler and K. L. Narasimhan},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0608153},
year = {2009}
}
备注
Submitted to J. Appl. Phys