拓扑继承破裂与莫尔平面带中的扭曲诱导量子几何重构

自莫尔量子物质概念提出以来, 该领域的基本原则一直是: 新出现的平坦带的量子几何可靠地继承于单层材料的低能谷。本文我们展示了在环流电荷有序卡戈格子晶体层扭曲双层结构(tk-LCK)中破裂了这一长期存在的原则。通过微观紧束缚模型, 我们揭示了量子几何的扭曲诱导重构, 其中真实的层间杂化抑制了来自单层的拓扑继承。通过调节环流电荷相位, 我们识别出单层Berry曲率在莫尔平面带中要么被显著重新分配, 要么被完全抑制的不同制度。我们进一步表明, 这一量子几何坍塌在以钒为基础的卡戈格金属物料(如 AV$_3$Sb$_5$)中能够较易实现, 且通过波导激光照明的Floquet工程提供了实用途径来开关拓扑继承。我们的发现揭示了量子几何重构的通用机制, 将层间耦合强度确立为调控平面带拓扑性质的独立参数, 超越弱耦合范德瓦尔斯异结构范式。