GaSe薄板中的束缚激子与自由激子态
介观与纳米尺度物理
2016-03-08 v1 其他凝聚态物理
摘要
在10K下，对入射光偏振垂直于样品c轴的GaSe薄板进行了光致发光(PL)和吸收实验。观察到激子吸收峰与PL峰(最高能量峰)之间存在约34meV的明显能量差。通过研究PL谱的温度依赖性，我们将其归因于自由激子和束缚激子态之间的能量差，其中主激子吸收峰来自自由激子吸收，而PL峰归因于10K下束缚激子的复合。这种强束缚激子效应稳定至50K。此外，积分PL强度和PL寿命的温度依赖性表明，一个活化能为0.5meV的非辐射过程主导了PL发射。
引用
@article{arxiv.1603.01796,
title = {Bound exciton and free exciton states in GaSe thin slab},
author = {Chengrong Wei and Xi Chen and Dian Li and Huimin Su and Jun-Feng Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.01796},
year = {2016}
}
备注
10 pages, 4 figures