高填充因子环形光晶格中的玻色-哈伯德模型

研究了限制在环形光晶格中的玻色-爱因斯坦凝聚体的高势垒量子隧穿区域。通过基变换，连接一组“涡旋”布洛赫态和一组类瓦尼尔局域波函数，我们推导出一个广义的玻色-哈伯德哈密顿量。除了通常的跳跃率项外，该哈密顿量还考虑了相互作用驱动的隧穿过程，这些过程在高填充因子下，当标准跳跃率参数变为负值时，起着主要作用。通过计算布洛赫态的能量和原子流，我们表明这种跳跃率必须由一个包含额外贡献的有效跳跃率参数来替代，即相互作用驱动的跳跃率。这种贡献在高填充因子下至关重要，因为它保持了有效跳跃率参数的正性。类瓦尼尔态和超流基态之间每粒子能量的能级交叉被解释为向每个格点具有宏观占据态的构型转变的标志。