I 型 Weyl 半金属 PtBi$_2$ 中的 Berezinskii-Kosterlitz-Thouless 相变
超导电性
2024-06-12 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
拓扑物质中的对称性破缺近年来已成为凝聚态物理中揭示新颖电子态的关键概念。本工作中，我们预言三方晶系 PtBi 中反演对称破缺和强自旋轨道耦合导致 I 型 Weyl 半金属能带结构。输运测量显示，在厚度达 126 nm 的剥离薄 flakes 中具有异常稳健的低维超导性（其 ~mK），这构成了 I 型 Weyl 半金属中明确超导性的首次报道与研究。值得注意的是，在厚度达 60 nm 的 flakes 中揭示了 Berezinskii-Kosterlitz-Thouless 相变，其 ~mK，这比表现出此类相变的罕见二维超导体例子几乎厚一个数量级。这使得 PtBi 成为研究拓扑半金属中低维和非传统超导性的理想平台。
引用
@article{arxiv.2101.01620,
title = {Berezinskii-Kosterlitz-Thouless transition in the type-I Weyl semimetal PtBi$_2$},
author = {Arthur Veyrat and Valentin Labracherie and Dima L. Bashlakov and Federico Caglieris and Jorge I. Facio and Grigory Shipunov and Titouan Charvin and Rohith Acharya and Yurii Naidyuk and Romain Giraud and Jeroen van den Brink and Bernd Büchner and Christian Hess and Saicharan Aswartham and Joseph Dufouleur},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.01620},
year = {2024}
}
备注
to be published in Nano Letters