隧穿在纳米结构中间带太阳能电池中的有益影响
应用物理
2018-02-13 v1
摘要
利用非平衡格林函数形式,我们提出了对纳米结构中间带太阳能电池中电子激发与收集的研究。我们证明,纳米物体与主体材料之间的薄隧穿势垒对电流和电压均有益。对于电流,这种薄势垒产生的限制有利于纳米物体中的子带间光学耦合,从而改善激发-收集权衡。我们还表明,纳米物体中展宽的态密度增加了辐射复合,从而降低了电压。利用细致平衡模型,我们提出了一种用于此V_oc退化的展宽因子,当隧穿势垒增强纳米物体中的寿命时该因子减小。
引用
@article{arxiv.1802.04212,
title = {Beneficial impact of tunneling in nano-structured intermediate-band solar cell},
author = {Nicolas Cavassilas and Daniel Suchet and Amaury Delamarre and Fabienne Michelini and Marc Bescond and Yoshitaka Okada and Masakazu Sugiyama and Jean-François Guillemoles},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.04212},
year = {2018}
}