Ba$_2$phenanthrene 是 Ba 掺杂菲样品中的主要成分
超导电性
2014-12-10 v1 材料科学
摘要
我们结合 X 射线衍射 (XRD) 谱模拟，利用第一性原理计算方法，系统研究了不同 Ba 掺杂水平下 Ba 掺杂菲的晶体结构。Baphenanthrene 的优化晶格参数和模拟 XRD 谱与实验值吻合良好，少数 XRD 峰强度的差异可以通过实验样品中存在未掺杂菲来解释。尽管 Ba 原子与菲分子的化学计量比为 1.5:1，但 Baphenanthrene 的模拟 XRD 谱、空间群对称性和优化晶格参数与测量值不一致。推断 Ba 掺杂菲样品是 Baphenanthrene 和少量未掺杂菲的混合物，而不是均匀的 Baphenanthrene。我们的计算表明，Baphenanthrene 是一种带隙小于 0.05 eV 的半导体。我们的发现提供了 Ba 掺杂菲超导体晶体结构和电子性质的基础信息。
引用
@article{arxiv.1403.1190,
title = {Ba$_2$phenanthrene is the main component in the Ba-doped phenanthrene sample},
author = {Xun-Wang Yan and Zhongbing Huang and Hai-Qing Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.1190},
year = {2014}
}