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采用 Möbius 畴壁费米子的 $B \rightarrow \pi \ell \nu$ 计算

高能物理 - 格点 2017-10-20 v1

摘要

我们报告了遍举半轻衰变 BπνB\rightarrow \pi \ell \nu 的计算进展;该过程是确定 CKM 矩阵元 Vub|V_{ub}| 的关键。在包含 2+12+1 味动力学夸克效应的规范系综上,对轻夸克和重夸克均采用 Möbius 畴壁作用量,并覆盖三个晶格间距值:a0.08 fma\approx 0.08~\mathrm{fm}a0.055 fma\approx0.055~\mathrm{fm}a0.044 fma\approx0.044~\mathrm{fm}。π 介子质量低至 300 MeV300~\mathrm{MeV},而重夸克质量高达 2.44mc2.44m_c。我们给出了该过程形状因子的初步结果,展示了其对动量转移、晶格间距和重夸克质量的依赖关系。

关键词

引用

@article{arxiv.1710.07094,
  title  = {$B \rightarrow \pi \ell \nu$ with M\"{o}bius Domain Wall Fermions},
  author = {Brian Colquhoun and Shoji Hashimoto and Takashi Kaneko},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1710.07094},
  year   = {2017}
}

备注

8 pages, 5 figures, Talk presented at the 35th annual International Symposium on Lattice Field Theory, 24-30 June 2017, Granada, Spain