Kr原子3s、3p和3d亚壳层光电离后的俄歇谱和不同离子电荷态

原子内壳层空穴通过辐射和非辐射跃迁的衰变导致最终带电离子的产生。使用蒙特卡罗模拟方法计算了Kr原子中3s、3p和3d空穴的去激发衰变。讨论了由Kr原子3s亚壳层深核空穴去激发衰变产生的空穴级联路径。空穴级联发展过程中旁观者空穴的产生导致了俄歇伴线的出现。3s、3p和3d空穴去激发衰变的最后跃迁导致特定带电离子的产生。采用Dirac-Fock-Slater波函数计算辐射和非辐射跃迁概率。对于3s空穴态，Kr^{4+}离子的强度较高，而对于3p和3d空穴态，分别以Kr^{3+}和Kr^{2+}离子的强度最高。本文的离子电荷态分布结果与实验数据吻合良好。