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库仏排斥导致的两电子关联运动

材料科学 2009-11-07 v1

摘要

从微观 Schr"odinger 方程推导出一种 Hubbard 类模型。我们发现,必须在标准 Hubbard 哈密顿量中加入描述直接两电子跃迁的额外项。这种哈密顿量会由于本征库仏排斥产生两电子配对。我们演示了具有反向自旋的电子对通过直接和顺序两电子隧穿在周期结构中传播。这种机制可用于产生纠缠电子电流。数值计算表明,电子对是稳定的。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0203544,
  title  = {Atomistic, microstructural and micromagnetic aspects of the multiscale modelling of hysteretic phenomena},
  author = {K. D. Belashchenko and V. P. Antropov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0203544},
  year   = {2009}
}

备注

6 pages (revtex 4), 2 figure files