ATIC、PAMELA、HESS、Fermi与邻近暗物质子晕

我们研究了来自暗物质(DM)湮灭的本地电子和正电子流，并探讨了其能谱如何依赖于DM模型的选择和DM分布的不均匀性。在截止能量以下，该流预计具有指数$n \sim -2$的通用幂律形式。截止能量和截止附近流的行为依赖于模型。在能量$E < 100$ GeV时，对DM宿主晕轮廓的依赖性可能显著，并导致流的软化，即$n < -2$。由于本地DM团块的存在，高能区可能出现额外特征，特别是对于Sommerfeld效应增强子晕光度的模型。通常，来自邻近团块的流会产生更硬的电子和正电子能谱，指数$n > -2$。利用Via Lactea II模拟，我们估计在一般的Sommerfeld增强模型中，这种子晕效应的概率至少为4%，如果计入模拟分辨率极限以下的子晕，则可能高达15%。我们讨论了这些结果对解释ATIC、PAMELA、HESS和Fermi数据以及未来实验的意义。