卤化物钙钛矿发光晶体管中的异步载流子注入
应用物理
2023-04-25 v1
摘要
金属卤化物钙钛矿发光器件中载流子迁移率与注入的不平衡严重限制了电致发光的效率与响应时间。在甲基铵铅碘化物发光晶体管中调制栅极偏压已被证明可有效提升发光亮度，最高可达 MHz 频率。本工作中，我们开发了一种新方法，通过独立控制漏源与栅源偏置电压来补偿空间电荷效应，从而改善钙钛矿发光晶体管的载流子注入并增强电致发光。偏置脉冲同步的优化使发射强度增强四倍。有趣的是，由于器件的电容特性，偏置脉冲间的最优相位延迟依赖于调制频率，这被等效电路的数值模拟很好地捕捉。这些结果深化了对交流驱动钙钛矿发光晶体管电致发光动力学的理解，并展示了通过独立控制偏置脉冲的幅度、频率与相位来优化器件性能的有效策略。
引用
@article{arxiv.2304.11606,
title = {Asynchronous Charge Carrier Injection in Perovskite Light-Emitting Transistors},
author = {Maciej Klein and Krzysztof Blecharz and Bryan Wei Hao Cheng and Annalisa Bruno and Cesare Soci},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.11606},
year = {2023}
}