TTF-TCNQ中重整化能带宽度源于结构还是电子？——一项角度依赖的NEXAFS研究
强关联电子
2009-11-13 v1
摘要
我们针对关联准一维有机导体TTF-TCNQ进行了角度依赖的近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)测量，采用俄歇电子产额模式，以确定最表面层中分子的取向。我们发现分子相对于一维轴的倾斜角度与体相基本相同。因此我们可以排除表面弛豫作为从一维Hubbard模型的光电子能谱数据分析中推断出的重整化能带宽度的起源。由此，最近的理论结果得到了印证，这些理论援引长程库仑排斥作为在扩展Hubbard模型中定量理解TTF-TCNQ光谱色散的替代解释。
引用
@article{arxiv.0708.1406,
title = {Are the renormalized band widths in TTF-TCNQ of structural or electronic origin? - An angular dependent NEXAFS study},
author = {M. Sing and J. Meyer and M. Hoinkis and S. Glawion and P. Blaha and G. Gavrila and C. S. Jacobsen and R. Claessen},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1406},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 5 figures