利用高阻抗谐振腔在 Transmon 电路 QED 中逼近超强耦合

在本实验中，我们将一个超导 Transmon 量子比特耦合到一个高阻抗 $645\ \Omega$ 微波谐振腔。此举产生较大的量子比特-谐振腔耦合速率 $g$，通过大的真空拉比分裂 $2g\simeq 910$ MHz 测得。该耦合是量子比特与谐振腔振荡频率 $\omega$ 的显著部分，使我们的系统接近超强耦合区 ($\bar{g}=g/\omega=0.071$ 在共振时)。将此装置与真空隙 Transmon 架构结合，展示了利用 Transmon 量子比特深入超强耦合 $\bar{g} \sim 0.45$ 的潜力。