多层半狄拉克黑磷中的反常光热效应

多层钾掺杂黑磷作为一种带隙半狄拉克二维正常绝缘体（NI），其光激发可使其转变为时间反演对称性破缺的陈绝缘体（CI）。这种从 NI 到 CI 的跃迁发生在对应于周期微扰 Floquet 理论的非共振 regime 的高频辐射下，此处即入射光束。这一光诱导拓扑 CI 相表现为有限的 Berry 曲率，并构成了在纵向温度梯度下反常横向热流的基础。本文定量分析了 Ettinghausen（EE）和 Righi-Leduc（RLE）效应的反常变体，通过其各自的系数进行。反常 EE 与 RLE 系数的强度是占据能带上 Berry 曲率之和的直接结果，并随费米能级位于较高导带态或较深价带区而下降。该下降归因于导带与价带中 Berry 曲率符号的反转。此外，当费米能级位于带隙中时，导带与价带的贡献可能在数值上相互抵消，从而使系数取大得多的值。最后，我们指出除 Berry 曲率的作用外，还可利用若干实验室可及的方法来调制 EE 与 RLE 系数，包括施加应变、改变掺杂浓度以及入射辐射频率。