PLD 生长的 FeSe/SrTiO$_{3}$ 中上临界场的各向异性与界面超导性

在本研究中，我们使用脉冲激光沉积生长了厚度为 4-19 nm 的 FeSe/SrTiO$_{3}$，并研究了它们的磁输运性质。最薄的薄膜（4 nm）表现出负霍尔效应，表明电子从 SrTiO$_{3}$ 衬底转移到了 FeSe 中。这与关于分子束外延生长的超薄 FeSe/SrTiO$_{3}$ 的报道一致。发现上临界场表现出大的各向异性（$\gamma >$ 11.9），这是根据转变温度（$T_{\mathrm{c}}$）附近的数据估算的。特别是，估算出的垂直方向的相干长度为 0.15-0.27 nm，小于 FeSe 的 c 轴长度，并且发现它几乎与薄膜的总厚度无关。这些结果表明，超导性被限制在 FeSe/SrTiO$_{3}$ 的界面处。