URu2Si2中的各向异性近藤赝能隙
强关联电子
2020-07-07 v2
摘要
极化电子拉曼散射研究表明，在单晶URuSi中，低于近藤交叉尺度时电子拉曼响应出现对称性依赖。特别地，相干近藤赝能隙主要在E通道中的发展凸显了URuSi近藤物理中的强各向异性，而这一点在此前该系统的理论模型中被忽视。拉曼顶点的计算表明，最强的拉曼顶点确实在E通道内针对带间跃迁发展，并在布里渊区对角线上达到最大，意味着近藤赝能隙具有d波类几何结构。在的隐序相变以下，赝能隙的大小被发现增强。此外，该赝能隙的各向异性在形式上类似于在以下出现的手性d波(E)超导态所提出者。
引用
@article{arxiv.1805.11307,
title = {Anisotropic Kondo pseudo-gap in URu2Si2},
author = {J. Buhot and X. Montiel and Y. Gallais and M. Cazayous and A. Sacuto and G. Lapertot and D. Aoki and N. E. Hussey and C. Pépin and S. Burdin and M. -A. Méasson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.11307},
year = {2020}
}