阴离子高度作为铁基超导体和铜氧化物超导电性的控制参数

高温超导体的两个家族，铁基超导体和铜氧化物超导体，都表现出超导电性对材料的依赖性。在此，我们基于考虑真实能带结构的多轨道模型，在自旋涨落配对理论框架内研究其起源。对于铁基超导体，我们展示了费米面口袋的存在与否对由铁平面测量的阴离子高度敏感，这是由于系统的多轨道性质，这反映在超导能隙的无节点/节点形式以及$T_c$上。令人惊讶的是，即使对于通常由单轨道模型描述的铜氧化物，多轨道能带结构也被证明在超导电性的材料依赖性中起着关键作用。事实上，通过采用一个在$d_{x^2-y^2}$轨道之上考虑$d_{z^2}$轨道的双轨道模型，我们可以解决一个长期存在的谜题，即为什么单层Hg铜氧化物的$T_c$远高于La铜氧化物。有趣的是，这里由CuO$_2$平面测量的顶角氧高度在决定$d_{x^2-y^2}$和$d_{z^2}$轨道之间的相对能量差方面再次起着重要作用，从而强烈影响超导电性。