局域掺杂Gd3+:Al2O3系统的角度依赖微ESR表征
量子物理
2016-08-31 v1 材料科学
超导电性
摘要
将稀土掺杂晶体与超导电路架构接口，为量子存储与换能器件提供了一个吸引人的平台。在此我们呈现此类混合系统的详细表征：一个局域注入的稀土Gd在AlO自旋系统中与超导微谐振腔耦合。我们通过角度依赖的微谐振腔电子自旋共振（micro-ESR）谱学研究了注入自旋系统的性质。我们发现，尽管是高能近表面注入，所得的micro-ESR谱与建模的哈密顿量极为吻合，支持掺杂离子在保持其晶体对称性的同时整合入相关晶格位。此外，我们观察到来自微谐振腔各个微波场分量的清晰贡献，强调了可控局域注入的必要性。
引用
@article{arxiv.1512.02270,
title = {Angular dependent micro-ESR characterization of a locally doped Gd3+:Al2O3 system},
author = {I. S. Wisby and S. E. de Graaf and R. Gwilliam and A. Adamyan and S. E. Kubatkin and P. J. Meeson and A. Ya. Tzalenchuk and T. Lindström},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.02270},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 3 figures