无序半导体异质结构发射的单光子关联的解析分析
无序系统与神经网络
2009-05-13 v1 强关联电子
摘要
在最近的一篇出版物 [Phys. Rev. Lett. 97, 227402 (2006), cond-mat/0611411] 中，已通过数值方法证明，半导体量子阱中的长程无序势可以通过自发发射光的单光子干涉测量法可靠地重构。本文提出了一种简化的独立二能级系统解析模型，以便更详细地研究该重构过程。借助该模型，可以解析计算测得的光子关联，并系统地研究无序长度尺度、所用光的波长或光斑尺寸等参数的影响。此外，可以理解所提出的角度分辨单光子关联与无序势之间的关系，且预期测得的信号与无序的特征强度和长度尺度密切相关。
引用
@article{arxiv.0708.2485,
title = {Analytical Analysis of Single-Photon Correlations Emitted by Disordered Semiconductor Heterostructures},
author = {P. Bozsoki and W. Hoyer and M. Kira and I. Varga and P. Thomas and S. W. Koch and H. Schomerus},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.2485},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 2 figures, submitted to the special issue of the Journal of Materials Science: Materials in Electronics (JMSE), presented at the ICOOPMA 2007 conference