基于腔增强直接频率梳光谱分析半导体气体中的痕量杂质
原子物理
2015-05-18 v2 化学物理
光学
摘要
腔增强直接频率梳光谱(CE-DFCS)因其高带宽、快速数据采集、高灵敏度和高分辨率的独特组合,在痕量气体检测方面展现出强大的潜力,这是传统系统无法实现的。然而,先前的演示仅限于原理验证实验或基础实验室科学研究。在此,我们介绍了CE-DFCS向工业应用的发展——测量砷化氢中的杂质,砷化氢是III-V族半导体化合物制造中使用的一种重要工艺气体。一种具有极强吸收、极其复杂、拥挤且宽带光谱的背景气体使得痕量检测异常困难,但CE-DFCS的能力克服了这一挑战,并使其能够识别和量化与水杂质相关的多条光谱线。此外,频率梳通过高效的非线性光学过程可以轻松访问新的光谱区域。在此,我们展示了在1.75-1.95微米(5710-5130 cm⁻¹)范围内对多种潜在杂质的检测,在氮气中的单通道检测灵敏度约为1×10⁻⁷ cm⁻¹ Hz⁻¹/²,并识别了砷化氢中掺杂的水,灵敏度约为1×10⁻⁶ cm⁻¹ Hz⁻¹/²。
引用
@article{arxiv.1003.1314,
title = {Analysis of Trace Impurities in Semiconductor Gas via Cavity-Enhanced Direct Frequency Comb Spectroscopy},
author = {Kevin C. Cossel and Florian Adler and Kris A. Bertness and Michael J. Thorpe and Jun Feng and Mark W. Raynor and Jun Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.1314},
year = {2015}
}
备注
21 pages, 4 figures