基于全耦合多物理场方法分析屏蔽效应对太赫兹光电导器件的影响
应用物理
2021-05-06 v1 介观与纳米尺度物理
光学
摘要
光电导器件（PCD）产生的太赫兹电流随着输入光泵浦功率的增加而饱和。这种行为由电磁（EM）场与半导体载流子之间相互作用引起的各种屏蔽效应所诱发。在这项工作中，这些屏蔽效应首次使用全耦合多物理场方法进行了数值分析。与先前开发的仿真框架不同，该方法严格建模了 EM 场与载流子之间的非线性耦合，因此能够考虑屏蔽效应。结果表明，使用此多物理场方法获得的结果与真实实验高度一致。在仿真结果中识别出了光场与辐射场屏蔽效应，并且发现光场屏蔽在高光泵浦功率水平下对 PCD 输出的饱和起更主导的作用。
引用
@article{arxiv.2105.00820,
title = {Analysis of Screening Effects on Terahertz Photoconductive Devices using a Fully-Coupled Multiphysics Approach},
author = {Liang Chen and Hakan Bagci},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.00820},
year = {2021}
}