重暗物质产生的半导体低温测辐射热计中缺陷形成的分析
天体物理仪器与方法
2015-06-12 v2 高能物理 - 唯象学
仪器与探测器
摘要
以测辐射热计形式存在的低温探测器目前用于不同的应用，特别是与新型物质相关的非常罕见或假设的事件，具体涉及暗物质的存在。在以半导体作为靶和探测器的粒子探测中，通常测量两个信号：电离和热信号。热信号的放大是通过 Luke-Neganov 效应的机制实现的。本文评估了暗物质粒子相互作用后，在低温下以 Frenkel 对形式沉积在半导体晶格中的稳定缺陷所对应的能量，并讨论了对测量量的影响。这一贡献被包含在 Luke 效应的能量平衡中。将当前模型应用于锗和硅，我们发现对于相同的入射弱相互作用大质量粒子 (WIMP)，在锗中沉积于缺陷的能量约为硅中的两倍。
引用
@article{arxiv.1211.1369,
title = {Analysis of defect formation in semiconductor cryogenic bolometric detectors created by heavy dark matter},
author = {Ionel Lazanu and Magdalena Lidia Ciurea and Sorina Lazanu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.1369},
year = {2015}
}
备注
Comments and references added, but results unchanged. Some errors corrected. Accepted for publication in Astropart. Phys