超导体临界功率损耗分析
超导电性
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
由交变磁场 Hp cos wt 引起的临界功率耗散可产生磁场击破场 H < Hc，后者为超导体的临界场。该分析表明，例如，为什么在某些情况下超导微波腔体的击破场远低于 Hc，并指出当 Hp 接近 H 时腔体 Q 的功能依赖关系。此外，还推导了单一孤立交变磁势腔有效电阻率以及静止正常区域的电阻率，涵盖 I 型和 II 型超导体。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306202,
title = {Analysis Of Critical Power Loss In A Superconductor},
author = {Mario Rabinowitz},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306202},
year = {2007}
}
备注
25 pages, 6 figures