基于扩展 Hückel 理论的石墨烯纳米电子学原子模型
介观与纳米尺度物理
2008-08-28 v1 材料科学
摘要
提出了一种基于自旋限制扩展 Hückel 理论 (EHT) 的原子模型，用于模拟石墨烯器件的电子结构和 I-V 特性。该模型应用于具有和不具有氢钝化的锯齿形和扶手椅形石墨烯纳米带 (GNR)，以及双层石墨烯。进一步展示了纳米带宽度方向和双层方向电场的计算结果，以显示电子结构的修饰。最后，利用 EHT 哈密顿量和 NEGF（非平衡格林函数）形式体系，针对顺磁性锯齿形 GNR 展示了 2e2/h 的量子电导。
引用
@article{arxiv.0801.1125,
title = {An Extended Huckel Theory based Atomistic Model for Graphene Nanoelectronics},
author = {Hassan Raza and Edwin C. Kan},
journal= {arXiv preprint arXiv:0801.1125},
year = {2008}
}
备注
5 pages, 8 figures