对单圈诱导的 $h\to \mu \tau$ 衰变的一种解释
高能物理 - 唯象学
2016-06-14 v2 高能物理 - 实验
摘要
我们讨论在单圈水平解释 超出值的可能性。我们引入三代矢量型轻子双重态 和两个单态标量 ,它们在 下为奇,而所有标准模型场在该离散对称性下为偶。我们表明 可以是一个良好的暗物质候选者。我们表明我们可以解释暗物质遗迹丰度、缪子 实验与标准模型预测之间的大部分差异,以及 % 的 超出,同时规避暗物质直接探测和带电轻子味破坏过程的实验约束。我们还考虑了在能量 TeV 的LHC上产生 的前景。
引用
@article{arxiv.1604.03738,
title = {An explanation of one loop induced $h\to \mu \tau$ decay},
author = {Seungwon Baek and Takaaki Nomura and Hiroshi Okada},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.03738},
year = {2016}
}
备注
19 pages, 5 figures, 3 tables, version published in PLB