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对单圈诱导的 $h\to \mu \tau$ 衰变的一种解释

高能物理 - 唯象学 2016-06-14 v2 高能物理 - 实验

摘要

我们讨论在单圈水平解释 hμτh\to\mu\tau 超出值的可能性。我们引入三代矢量型轻子双重态 LL' 和两个单态标量 S1,2S_{1,2},它们在 Z2Z_2 下为奇,而所有标准模型场在该离散对称性下为偶。我们表明 S1S_1 可以是一个良好的暗物质候选者。我们表明我们可以解释暗物质遗迹丰度、缪子 g2g-2 实验与标准模型预测之间的大部分差异,以及 1\sim 1 % 的 hμτh\to\mu\tau 超出,同时规避暗物质直接探测和带电轻子味破坏过程的实验约束。我们还考虑了在能量 s=14\sqrt{s}=14 TeV 的LHC上产生 S2S_2 的前景。

关键词

引用

@article{arxiv.1604.03738,
  title  = {An explanation of one loop induced $h\to \mu \tau$ decay},
  author = {Seungwon Baek and Takaaki Nomura and Hiroshi Okada},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1604.03738},
  year   = {2016}
}

备注

19 pages, 5 figures, 3 tables, version published in PLB