V_15分子磁体磁滞线台线的另一种模型
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
从V_15中十五个spin-1/2离子的反磁海森堡哈密顿量出发，我们构建了一个涉及八个低能态(spin-1/2和spin-3/2)耦合到声子浴的有效自旋哈密顿量。我们数值求解了该系统的时间依赖 Schrodinger 方程，获得了随温度在时间依赖磁场中的磁化。磁化 exhibits unusual 的滞回和台线模式，随场扫速和温度的变化而变化。所观察到的台线并非源于量子隧穿，而是热平均的结果。我们的结果与最近的实验观察良好地一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0011031,
title = {An alternate model for magnetization plateaus in the molecular magnet V_15},
author = {Indranil Rudra and S. Ramasesha and Diptiman Sen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0011031},
year = {2009}
}
备注
Revtex, 4 pages, 5 eps figures