砷化铝解理边缘外延生长量子线
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1 强关联电子
摘要
我们报道了由砷化铝制成的量子线中的电导测量，砷化铝是一种重质量、多谷的一维(1D)系统。随着线中电子密度的降低，观察到零偏置电导台阶，并且在施加有限直流偏置时可观察到额外的台阶。我们将这些台阶归因于连续一维子带的退占据。量子电导相对于自旋和谷简并一维系统的预期值显著降低。这种降低与无序诱导的线内背散射一致，该背散射抑制了一维模式的透射。我们进行了计算以证明应变在该解理边缘结构的1D态中的作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504214,
title = {Aluminum arsenide cleaved-edge overgrown quantum wires},
author = {J. Moser and T. Zibold and S. Roddaro and D. Schuh and M. Bichler and V. Pellegrini and G. Abstreiter and M. Grayson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504214},
year = {2009}
}
备注
Submitted to Applied Physics Letters