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全硅谷霍尔光子拓扑绝缘体

光学 2016-03-23 v1

摘要

提出了一种模拟量子谷霍尔效应的全硅光子结构。我们表明它充当光子拓扑绝缘体(PTI),并且两个此类PTI之间的界面可以支持无散射的边缘态。谷自由度的守恒使得自由空间与光子结构之间光的高效输入输出耦合成为可能。边缘波的顶部保护可用于设计谐振延时光子腔阵列,其不受反射和串扰的影响。

关键词

引用

@article{arxiv.1601.06673,
  title  = {All-Si Valley-Hall Photonic Topological Insulator},
  author = {Tzuhsuan Ma and Gennady Shvets},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1601.06673},
  year   = {2016}
}

备注

arXiv admin note: text overlap with arXiv:1507.05256