基于截断通道注入在激光等离子体加速器中全光产生GeV电子束团
加速器物理
2024-01-10 v2 等离子体物理
摘要
我们描述了一种简单方案——截断通道注入，将电子直接注入由全光等离子体通道引导的驱动脉冲所驱动的尾场中。我们使用该方法，在110毫米长的流体动力学光场电离（HOFI）等离子体通道中引导120 TW激光脉冲，产生无暗电流、1.2 GeV、相对能散4.5%的电子束团。我们的实验和粒子在胞中的模拟表明，仅当驱动脉冲与通道轴紧密对齐，并聚焦在通道入口处形成的密度下降斜坡附近时，才获得高质量电子束团。对通道形成、电子注入和加速的端到端模拟表明，将通道长度增加到410毫米将产生3.65 GeV的束团，其切片能散。
引用
@article{arxiv.2307.13689,
title = {All-optical GeV electron bunch generation in a laser-plasma accelerator via truncated-channel injection},
author = {A. Picksley and J. Chappell and E. Archer and N. Bourgeois and J. Cowley and D. R. Emerson and L. Feder and X. J. Gu and O. Jakobsson and A. J. Ross and W. Wang and R. Walczak and S. M. Hooker},
journal= {arXiv preprint arXiv:2307.13689},
year = {2024}
}