纳米线等离子体激光结构的全外延制备
应用物理
2020-09-04 v1
摘要
我们展示了一种全外延方法，用于制备同轴等离子体激光结构，该结构由围绕 p-GaN 纳米线核的铝等离子体金属 / SiNx 介电层 / InGaN 量子阱壳层组成。在垂直于生长方向排列的阵列以及转移到透明载片上的水平排列纳米线中，均观察到了强烈的紫外发光。
引用
@article{arxiv.2009.01288,
title = {All Epitaxial Fabrication of a Nanowire Plasmon Laser Structure},
author = {Michael A. Mastro and Jaime A. Freitas and Jennifer K. Hite and Charles R. Eddy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.01288},
year = {2020}
}