倾斜 Dirac/Weyl 半导体中通过垂直 Barriers 实现全电静 Valley 过滤
介观与纳米尺度物理
2026-03-04 v1 材料科学
摘要
具有倾斜各向异性能色散的 Dirac/Weyl 半导体中的载流子在电静势垒界面上表现出依赖谷的折射与反射。我们表明，倾斜垒界面提供了一种纯电静的谷过滤途径，产生有限的谷极化导电。我们发展了用于倾斜、各向异性 Dirac 哈密顿量的广义传递矩阵形式，扩展用于任意倾斜角度的电静势垒，并计算旋转-垒框架中的传输。我们还展示了有限器件几何中的谱-resolved 轨迹仿真，清晰显示一个谷被选择性通过，而另一个谷则主要被倾斜垒反射，且无次要效应如实或伪磁场。
引用
@article{arxiv.2603.03117,
title = {All-Electrostatic Valley Filtering by Barrier Rotation in Tilted Dirac/Weyl Semimetals},
author = {Can Yesilyurt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.03117},
year = {2026}
}
备注
15 pages, 3 figures, original research article, in review