Al$_{5+\alpha}$Si$_{5+\delta}$N$_{12}$，一种新型氮化物化合物
材料科学
2019-03-25 v1
摘要
我们报道了通过在 1350C 至 1550C 的 Si 气氛下退火 AlN 异质外延层合成新型氮基化合物。通过高分辨率扫描透射电子显微镜（HRSTEM）、能量色散 X 射线（EDX）谱和密度泛函理论（DFT）计算研究了该化合物的结构与化学计量比。所识别的结构是母体纤锌矿 AlN 晶体的衍生物，其中阴离子亚晶格完全由 N 原子占据，阳离子亚晶格是沿 <0001> 方向堆叠的 2 种不同平面。第一种平面沿 <10-10> 呈现 3 周期性，其中 1/3 的位点空缺。阳离子亚晶格的其余位点由等量的 Si 和 Al 原子占据。假设为一种预期具有宽禁带的半导体合金，提出了一系列化学计量比 AlSiN，其中 介于 0 与 1/3 之间， 介于 0 与 1/4 之间。
引用
@article{arxiv.1903.09400,
title = {Al$_{5+\alpha}$Si$_{5+\delta}$N$_{12}$, a new Nitride compound},
author = {R. Dagher and L. Lymperakis and V. Delaye and L. Largeau and A. Michon and J Brault and P. Vennegues},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.09400},
year = {2019}
}