半导体中电子的声学陷阱与晶格
量子物理
2017-11-01 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出并分析了一种基于表面声波（SAWs）的固态平台，用于捕获、冷却和控制（带电）粒子，以及模拟量子多体系统。我们开发了一个一般理论框架，展示了在二维或一维结构中粒子有效与时间无关的声学捕获势的出现。作为主要示例，我们详细讨论了静止但可移动的声学伪晶格（AL）的产生和应用，其晶格参数可原位重构。我们确定了相关的品质因数，讨论了用于忠实实现此种声学晶格的潜在实验平台，并提供了典型系统参数的估计。由于预期的晶格间距在100nm量级，该方法在实现费米子Hubbard模型时允许相对较大的能量尺度，并最终有望进入低温、强相互作用区域。实验缺陷以及读出方案也进行了讨论。
引用
@article{arxiv.1705.04860,
title = {Acoustic Traps and Lattices for Electrons in Semiconductors},
author = {Martin J. A. Schuetz and Johannes Knörzer and Geza Giedke and Lieven M. K. Vandersypen and Mikhail D. Lukin and J. Ignacio Cirac},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.04860},
year = {2017}
}
备注
Manuscript: 10.5 pages, 5 figures, 1 table. Appendices: 8 pages, 1 table. v2: version as published, Journal-Ref added