V 注入 ZnO 单晶中铁磁性的缺失
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们展示了 V 掺杂 ZnO 的结构和磁性。通过离子注入，以 1.2*10^16 至 6*10^16 cm^-2 的剂量将 V 离子引入水热法生长的 ZnO 单晶中。注入后退火在高真空中于 823 K 至 1023 K 的温度下进行。ZnO 宿主材料在辐照后仍部分保持结晶状态，并通过退火部分恢复。深度剖面俄歇电子能谱显示 V 离子具有热迁移性。同步辐射 X 射线衍射未发现第二相形成，这表明 V 取代了 Zn 位点。然而，在所有样品中，通过超导量子干涉仪磁强计在低至 5 K 的温度下均未观察到明显的铁磁性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0612356,
title = {Absence of ferromagnetism in V-implanted ZnO single crystals},
author = {Shengqiang Zhou and K. Potzger and H. Reuther and K. Kuepper and W. Skorupa and M. Helm and J. Fassbender},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0612356},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 4 figs, MMM conference 2007, accepted by J. Appl. Phys