铁磁性GaMnAs中的带隙以上磁光克尔效应
材料科学
2010-05-20 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们对不同Mn密度的GaMnAs进行了系统的磁光克尔光谱研究，测量了其随温度、磁场和光子能量的变化。与以往研究不同，本研究的磁化易轴垂直于样品表面，使我们能够在无外加磁场的情况下测量剩余极向克尔光谱。剩余克尔角强烈依赖于光子能量，在约1.7 eV处出现一个大的正峰。该峰的强度随Mn掺杂而增加并发生蓝移，且退火后进一步蓝移。利用包含反铁磁s,p-d交换相互作用的30带k·p模型，我们计算了GaMnAs在带间跃迁区域的介电张量，假设我们的样品处于金属态且杂质带已与价带合并。我们无需人为引入源自带隙中杂质态的光学跃迁，就成功再现了观测到的光谱。这些结果使我们得出结论：铁磁性GaMnAs中的带隙以上磁光克尔旋转主要由导带和价带之间的带间跃迁决定。
引用
@article{arxiv.0907.1546,
title = {Above-Bandgap Magneto-optical Kerr Effect in Ferromagnetic GaMnAs},
author = {C. Sun and J. Kono and Y. Cho and A. K. Wojcik and A. Belyanin and H. Munekata},
journal= {arXiv preprint arXiv:0907.1546},
year = {2010}
}
备注
12 pages, 15 figures