中文

二维铁磁绝缘体中由磁共振揭示的异常临界涨落

介观与纳米尺度物理 2021-01-08 v1 强关联电子

摘要

由涨落与关联主导的相变与临界现象,是充满物理范式与意外发现的领域之一。尤其对二维磁性而言,金兹堡判据的限制导致临界点在附近涨落增强并打破平均场理论。本文借助磁共振,研究二维铁磁绝缘体 CrXTe3(X=Si,Ge)\rm CrXTe_3 (X=Si, Ge) 中临界涨落的行为。在导出磁共振的经典与量子模型后,我们认为所测 gg 因子的剧烈各向异性偏移源于具有各向异性相互作用的涨落。涨落背后 gg 因子的推演与仅自旋态一致(CrSiTe3\rm CrSiTe_3g{g\approx} 2.050(10),CrGeTe3\rm CrGeTe_3 为 2.039(10))。此外,gg 偏移的异常增强,辅以比热与磁强测量,表明 CrSiTe3\rm CrSiTe_3CrGeTe3\rm CrGeTe_3 表现出更典型的二维特性,并可能更接近量子临界点。

关键词

引用

@article{arxiv.2101.02440,
  title  = {Abnormal Critical Fluctuations Revealed by Magnetic Resonance in the Two-Dimensional Ferromagnetic Insulators},
  author = {Zefang Li and Dong-Hong Xu and Xue Li and Hai-Jun Liao and Xuekui Xi and Yi-Cong Yu and Wenhong Wang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2101.02440},
  year   = {2021}
}