正电子素中的CP对称性检验

这项正电子素CP对称性检验的目的是测量CP破坏振幅参数\ccp。这是通过测量磁场中正电子素衰变光子角分布的不对称性得出的。标准模型对\ccp\ 的预测值约为$10^{-9}$。因此，观察到更大的\ccp\ 值将是超越标准模型物理的信号。先前的测量发现\ccp\ 与零一致，不确定度约为$\sim 10^{-2}$。我们研究了利用现有的、为研究正电子素物理而设置的ETHZ-INRM-IN2P3 BGO晶体探测器来提高\ccp\ 测量灵敏度的可能性。初步计算表明，使用这种经过一些修改的装置，在4千高斯的磁场中，\ccp\ 的测量不确定度可能在$\sim 10^{-4}$到$\sim 10^{-3}$之间，主要取决于不对称性测量的不确定度和光子探测器的角分辨率。如果\ccp\ 小于$\sim 10^{-4}$，这里概述的实验技术似乎不足以观察到CP破坏效应，必须开发新技术或使用不同的可观测量以获得更好的灵敏度。