一种技术无关的 RRAM 表征方法学协议
应用物理
2018-09-19 v1
摘要
忆阻器技术的出现为现代电子学带来新前景，其通过实现新颖的内存计算解决方案以及经济且可扩展的可重构硬件实现。若干相互竞争的忆阻器技术已被提出，每种在多比特存储容量、低功耗操作、 endurance、保持力和稳定性方面具有不同性能指标。然而应用需求不断推动更高性能，这亟需引入标准表征协议以实现公平基准测试。与此同时，因过度关注狭窄性能方面而错失创新机会。为此，我们的工作提出一种完整的、技术无关的表征方法学，其基于为适应忆阻器/RRAM 表征需求而调整的既有技术。我们的方法旨在提取器件行为的各方面信息，从破译底层物理机制到跨多种电性能指标的基准测试，进而可支持器件模型的生成。
引用
@article{arxiv.1809.06659,
title = {A technology agnostic RRAM characterisation methodology protocol},
author = {Spyros Stathopoulos and Loukas Michalas and Ali Khiat and Alexantrou Serb and Themis Prodromakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1809.06659},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 11 figures